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Qualidade Módulo IGBT de baixa saturação VCE, baixas perdas Fábrica
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Módulo IGBT de baixa saturação VCE, baixas perdas

Nome da marca: Krunter
Número do modelo: KUG100H12S4L
Local de Origem: China

Detalhes do produto


tecnologia: SI Tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,5V
capacidade do Coletor-emissor: 100 pF Estilo de instalação: SMD/SMT
Produto: Módulos de potência de diodo Fabricante: PRX
Garantia: 365 dias dissipação de energia: 500W
Subcategoria: IC de interface Tempos de entrega: Envio imediatamente
Classificação de tensão: 1200 V Dimensões: 106.4*61.4*30.5mm
Umidade sensível: Sim
Destacar

Módulo IGBT de corrente de curto-circuito

,

Módulo IGBT de baixo VCE sat

,

Modulo IGBT com baixas perdas de comutação

Descrição do produto

  • Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para KUG100H12S4L e baixas perdas de comutação

  •  

  • Baixo VCE (sat)

  • Corrente de curto-circuito de 10 μs

  • Baixas perdas de mudança

  • Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo

  • Diodos de rotação livre com queda de tensão dianteira muito baixa e recuperação suave

  • Pacote padrão industrial com placa de base de cobre

Diagrama do circuito interno

Módulo IGBT de baixa saturação VCE, baixas perdas 0

Parâmetros da especificação

TÍPO VCES VGES IC VCE(SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot Circuito Pacote Tecnologia
Volts Volts Ampères Volts MJ Capacidade de produção
KUG40H12S4L 1200 V ± 20 40A 2.80V 7.2mJ 150°C 250 W 2 embalagens 34 mm TNP
KUG50H12S4L 1200 V ± 20 50A 2.80V 7.2mJ 150°C 285W 2 embalagens
KUG75H12S4L 1200 V ± 20 75A 2.80V 100,6 mJ 150°C 395W 2 embalagens
KUG100H12S4L 1200 V ± 20 100A 3.10V 13.4mJ 150°C 555W 2 embalagens
KUG150H12S4L 1200 V ± 20 150A 2.80V 17.0 mJ 150°C 790W 2 embalagens
KUG40H12E4L 1200 V ± 20 40A 2.10V 8.8mJ 175°C 250 W 2 embalagens FS de trincheira
KUG50H12E4L 1200 V ± 30 50A 1.65V 10.1 mJ 175°C 285W 2 embalagens
KUG75H12E4L 1200 V ± 30 75A 1.65V 18.0 mJ 175°C 395W 2 embalagens
KUG100H12E4L 1200 V ± 30 100A 1.65V 24.8mJ 175°C 555W 2 embalagens
KUG40H12W4L 1200 V ± 20 40A 2.10V 8.4mJ 175°C 250 W 2 embalagens Trilha
rápido.
KUG50H12W4L 1200 V ± 20 50A 2.25V 9.4mJ 175°C 285W 2 embalagens
KUG75H12W4L 1200 V ± 20 75A 2.00V 14.0 mJ 175°C 395W 2 embalagens
KUG100H12W4L 1200 V ± 20 100A 1.90V 19.5mJ 175°C 555W 2 embalagens
KUG150H12W4L 1200 V ± 20 150A 1.90V 27.8mJ 175°C 790W 2 embalagens

Módulo IGBT de baixa saturação VCE, baixas perdas 1

 

 

Destaques do produto

Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para KUG100H12S4L e baixas perdas de comutação Baixo VCE (sat) Corrente de curto-circuito de 10 μs Baixas perdas de mudança Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo Diodos de rotação livre com queda de tensão dianteira muito ...

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