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품질 낮은 VCE Sat IGBT 모듈 낮은 손실 공장
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낮은 VCE Sat IGBT 모듈 낮은 손실

브랜드 이름: Krunter
모델 번호: KUG100H12S4L
원산지: China

제품 상세정보


기술: 수집기-이미 터 포화 전압: 1.5V
콜렉터-에미터 전기 용량: 100pF 설치 스타일: smd/smt
제품: 다이오드 전력 모듈 제조업자: PRX
보증: 365days 전력 손실: 500W
하위 카테고리: 인터페이스 IC 리드 타임: 즉시 배송
전압 정격: 1200V 치수: 106.4*61.4*30.5mm
민감한 수분:
강조하다

단회로 IGBT 전류 모듈

,

낮은 VCE sat IGBT 모듈

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낮은 전환 손실 IGBT 모듈

제품 설명

  • 낮은 VCE 포화 및 단락 회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실 KUG100H12S4L

  •  

  • 낮은 VCE(sat)

  • 10μs 단락 회로 전류

  • 낮은 스위칭 손실

  • 양의 VCE(sat) 온도 계수

  • 매우 낮은 순방향 전압 강하 및 소프트 복구 기능을 갖춘 프리휠링 다이오드

  • 구리 베이스 플레이트가 있는 산업 표준 패키지

내부 회로도

낮은 VCE Sat IGBT 모듈 낮은 손실 0

사양 매개변수

유형 VCES VGES IC VCE(SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot 회로 패키지 기술
볼트 볼트 암페어 볼트 mJ 와트
KUG40H12S4L 1200V  ± 20 40A 2.80V 7.2mJ 150℃ 250W 2 팩 34mm NPT
KUG50H12S4L 1200V  ± 20 50A 2.80V 7.2mJ 150℃ 285W 2 팩
KUG75H12S4L 1200V  ± 20 75A 2.80V 10.6mJ 150℃ 395W 2 팩
KUG100H12S4L 1200V  ± 20 100A 3.10V 13.4mJ 150℃ 555W 2 팩
KUG150H12S4L 1200V  ± 20 150A 2.80V 17.0mJ 150℃ 790W 2 팩
KUG40H12E4L 1200V  ± 20 40A 2.10V 8.8mJ 175℃ 250W 2 팩 트렌치 FS
KUG50H12E4L 1200V  ± 30 50A 1.65V 10.1mJ 175℃ 285W 2 팩
KUG75H12E4L 1200V  ± 30 75A 1.65V 18.0mJ 175℃ 395W 2 팩
KUG100H12E4L 1200V  ± 30 100A 1.65V 24.8mJ 175℃ 555W 2 팩
KUG40H12W4L 1200V  ± 20 40A 2.10V 8.4mJ 175℃ 250W 2 팩 트렌치
빠른
KUG50H12W4L 1200V  ± 20 50A 2.25V 9.4mJ 175℃ 285W 2 팩
KUG75H12W4L 1200V  ± 20 75A 2.00V 14.0mJ 175℃ 395W 2 팩
KUG100H12W4L 1200V  ± 20 100A 1.90V 19.5mJ 175℃ 555W 2 팩
KUG150H12W4L 1200V  ± 20 150A 1.90V 27.8mJ 175℃ 790W 2 팩

낮은 VCE Sat IGBT 모듈 낮은 손실 1

 

 

제품 하이라이트

낮은 VCE 포화 및 단락 회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실 KUG100H12S4L 낮은 VCE(sat) 10μs 단락 회로 전류 낮은 스위칭 손실 양의 VCE(sat) 온도 계수 매우 낮은 순방향 전압 강하 및 소프트 복구 기능을 갖춘 프리휠링 다이오드 구리 베이스 플레이트가 있는 산업 표준 패키지 내부 회로도 사양 매개변수 유형 VCES VGES IC VCE(SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot 회로 패키지 기술 볼트 볼트 암페어 볼트 mJ 와트 KUG40H12S4L 1200V ± 20 40A 2.80V 7...

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