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Calidad Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación Fabricación
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Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación

Nombre de la marca: Krunter
Número de modelo: KUG75H12 W4L
Lugar de origen: China

Detalles del producto


Technology: Si Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.5V
Collector-Emitter Capacitance: 100pF Installation Style: SMD/SMT
Product: Diode Power Modules Manufacturer: PRX
Warranty: 365days Power Dissipation: 500W
Subcategory: Interface ICs Lead Times: Immediately Shipment
Voltage Rating: 1200V Dimensions: 106.4*61.4*30.5mm
Moisture Sensitive: YES
Resaltar

Módulo IGBT de corriente de cortocircuito

,

Módulo IGBT con baja VCE

,

Modulo IGBT con bajas pérdidas de conmutación

Descripción de producto

  • VCE bajo (sat)

  • Corriente de cortocircuito de 10 μs

  • Bajas pérdidas por cambio

  • Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo

  • Diodos de ruedas libres con baja caída de voltaje hacia adelante y recuperación suave

  • Paquete estándar industrial con placa base de cobre

Diagrama del circuito interno

Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación 0

Parámetros de las especificaciones

Tipo de producto VCES VGES IC VCE (SAT) (EON + EOFF) TJ, el Sr. Ptot Circuito Paquete Tecnología
Voltios Voltios Amperios Voltios - ¿ Qué? Vatio
Se trata de un producto de la categoría "A" Las demás: ± 20 40A 2.80V 7.2 mJ 150 °C 250 W 2 Envases 34 mm El TNP
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 50A 2.80V 7.2 mJ 150 °C 285W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 2.80V 10.6 mJ 150 °C 395W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados. Las demás: ± 20 Las demás: 3.10V 13.4 mJ 150 °C 555W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 2.80V 17.0 mJ 150 °C 790 W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. Las demás: ± 20 40A 2.10V 8.8mJ 175 °C 250 W 2 Envases En las trincheras
Se aplican las siguientes condiciones: Las demás: ± 30 50A 1.65V 10.1 mJ 175 °C 285W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. Las demás: ± 30 Las demás: 1.65V 18.0 mJ 175 °C 395W 2 Envases
Se trata de un producto de la familia de los derivados de la leche. Las demás: ± 30 Las demás: 1.65V 24.8mJ 175 °C 555W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 40A 2.10V 8.4 mJ 175 °C 250 W 2 Envases En la zanja
muy rápido.
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 50A 2.25V 9.4 mJ 175 °C 285W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 2.00V 14.0 mJ 175 °C 395W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 1.90V 19.5 mJ 175 °C 555W 2 Envases
Se aplicará el procedimiento siguiente: Las demás: ± 20 Las demás: 1.90V 27.8mJ 175 °C 790 W 2 Envases

Módulo IGBT de baja VCE sat y corriente de cortocircuito para y bajas pérdidas de conmutación 1

Aspectos destacados del producto

VCE bajo (sat) Corriente de cortocircuito de 10 μs Bajas pérdidas por cambio Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo Diodos de ruedas libres con baja caída de voltaje hacia adelante y recuperación suave Paquete estándar industrial con placa base de cobre Diagrama del circuito interno Par...

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