낮은 VCE sat 및 단회로 전류 IGBT 모듈 및 낮은 스위칭 손실
제품 상세정보
| Technology: | Si | Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.5V |
|---|---|---|---|
| Collector-Emitter Capacitance: | 100pF | Installation Style: | SMD/SMT |
| Product: | Diode Power Modules | Manufacturer: | PRX |
| Warranty: | 365days | Power Dissipation: | 500W |
| Subcategory: | Interface ICs | Lead Times: | Immediately Shipment |
| Voltage Rating: | 1200V | Dimensions: | 106.4*61.4*30.5mm |
| Moisture Sensitive: | YES | ||
| 강조하다 |
단회로 IGBT 전류 모듈,낮은 VCE sat IGBT 모듈,낮은 전환 손실 IGBT 모듈 |
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제품 설명
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낮은 VCE (sat)
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10μs 단회로 전류
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낮은 전환 손실
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양성 VCE (sat) 온도 계수
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매우 낮은 전압 하락과 부드러운 회복을 가진 자유 바퀴 다이오드
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구리 기판을 가진 산업 표준 패키지
내부 회로 다이어그램
사양 매개 변수
| 유형 | VCES | VGES | IC | VCE (SAT) | (EON+EOFF) | TJ | Ptot | 회로 | 패키지 | 기술 |
| 전압 | 전압 | 앰프 | 전압 | mJ | 와트 | |||||
| KUG40H12S4L | 1200V | ± 20 | 40A | 2.80V | 7.2mJ | 150°C | 250W | 2 패키지 | 34mm | 핵무기협약 |
| KUG50H12S4L | 1200V | ± 20 | 50A | 2.80V | 7.2mJ | 150°C | 285W | 2 패키지 | ||
| KUG75H12S4L | 1200V | ± 20 | 75A | 2.80V | 10.6mJ | 150°C | 395W | 2 패키지 | ||
| KUG100H12S4L | 1200V | ± 20 | 100A | 3.10V | 13.4mJ | 150°C | 555W | 2 패키지 | ||
| KUG150H12S4L | 1200V | ± 20 | 150A | 2.80V | 170.0mJ | 150°C | 790W | 2 패키지 | ||
| KUG40H12E4L | 1200V | ± 20 | 40A | 2.10V | 80.8mJ | 175°C | 250W | 2 패키지 | 트렌치 FS | |
| KUG50H12E4L | 1200V | ± 30 | 50A | 1.65V | 100.1mJ | 175°C | 285W | 2 패키지 | ||
| KUG75H12E4L | 1200V | ± 30 | 75A | 1.65V | 180.0mJ | 175°C | 395W | 2 패키지 | ||
| KUG100H12E4L | 1200V | ± 30 | 100A | 1.65V | 240.8mJ | 175°C | 555W | 2 패키지 | ||
| KUG40H12W4L | 1200V | ± 20 | 40A | 2.10V | 8.4mJ | 175°C | 250W | 2 패키지 | 트렌치 빨리 |
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| KUG50H12W4L | 1200V | ± 20 | 50A | 2.25V | 9.4mJ | 175°C | 285W | 2 패키지 | ||
| KUG75H12W4L | 1200V | ± 20 | 75A | 2.00V | 140.0mJ | 175°C | 395W | 2 패키지 | ||
| KUG100H12W4L | 1200V | ± 20 | 100A | 1.90V | 19.5mJ | 175°C | 555W | 2 패키지 | ||
| KUG150H12W4L | 1200V | ± 20 | 150A | 1.90V | 270.8mJ | 175°C | 790W | 2 패키지 |
제품 하이라이트
낮은 VCE (sat) 10μs 단회로 전류 낮은 전환 손실 양성 VCE (sat) 온도 계수 매우 낮은 전압 하락과 부드러운 회복을 가진 자유 바퀴 다이오드 구리 기판을 가진 산업 표준 패키지 내부 회로 다이어그램 사양 매개 변수 유형 VCES VGES IC VCE (SAT) (EON+EOFF) TJ Ptot 회로 패키지 기술 전압 전압 앰프 전압 mJ 와트 KUG40H12S4L 1200V ± 20 40A 2.80V 7.2mJ 150°C 250W 2 패키지 34mm 핵무기협약 KUG50H12S4L 1200V ± 20 50A 2...
정밀 혁신형조 기술 고속 정밀형조
고성능 성과 를 위한 혁신적 인 폼 기술
낮은 삽입력 로랑저 시험 소켓
낮은 삽입 힘과 긍정적 인 접촉 지우는 특징을 갖춘 로랑거 테스트 소켓으로 테스트가 용이해졌습니다. 최고 로딩 디자인 상단 접촉은 패키지 리드를 조정하는 데 도움이 됩니다. 양성 접촉 청소 작업 낮은 삽입 힘 하위 소켓 스탠딩 보드 청소를 지원 다양한 크기와 I/O 배하 도구 또한 사용 가능 0297002997ASSYA 21 입출력 (I/O) 듀얼 인라인 패키지 (DIP) 소켓 DIP 21 다중 02758 141 6215 14 입력/출력 (I/O) 및 2.54 밀리미터 (mm) 피치 듀얼 인라인 패키지 (DIP) 소켓 부근 용접 ...
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