Modulo IGBT compacto y ligero KES650H12A8L-2M para instalaciones que ahorran espacio
Detalles del producto
| Moisture Sensitive: | YES | Output Current: | 60A |
|---|---|---|---|
| Dimensions: | 25mm x 50mm x 10mm | Close: | No Shutdown |
| Maximum Operating Temperature: | 150°C | Input Range: | 4.5V~5.5V |
| Collector-Emitter Voltage: | 600V | Number Of Pins: | 7 |
| Lead Times: | Immediately Shipment | Contact Resistance: | 30mΩ |
| Thermal Resistance: | 0.5°C/W | Peak Repetitive Reverse: | 100-1600V |
| Application: | Power Conversion | Qualification: | Industrial |
| Organization: | 512 M x 16 | ||
| Resaltar |
Módulo IGBT compacto,Modulo IGBT que ahorra espacio,Módulo IGBT ligero |
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Descripción de producto
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo.
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Alta densidad de potencia con tecnología Trench FS IGBT
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VCE bajo (sat)
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Operación paralela habilitada; diseño simétrico y coeficiente de temperatura positivo
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Diseño de baja inductancia
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Sensor de temperatura NTC integrado
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Base aislada con tecnología DBC
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Diseño compacto y robusto con terminales moldeados
Diagrama del circuito interno
Parámetros de las especificaciones
| Tipo de producto | VBR Voltios |
VGS (h) Voltios |
Identificación Amperios |
RDS (apagado) mΩ |
El IDSS UA |
TJ, el Sr. | Rth ((JC) En el caso de los vehículos de motor |
Ptot Vatio |
Circuito | Paquete | Tecnología |
| Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deben cumplirse en todos los casos. | Las demás: | 3.2V | Las demás: | 3.7mΩ | 200 uA | 175 °C | 0.064 | 2230W | 2 Envases | El número de personas afectadas | SIC MOSFET |
| Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo. | Las demás: | 3.2V | Las demás: | 2.2mΩ | 200 uA | 175 °C | 0.064 | 3200 W | 2 Envases | SIC MOSFET |
Aspectos destacados del producto
Los requisitos de seguridad de los equipos de ensayo deberán cumplirse en el caso de los equipos de ensayo. Alta densidad de potencia con tecnología Trench FS IGBT VCE bajo (sat) Operación paralela habilitada; diseño simétrico y coeficiente de temperatura positivo Diseño de baja inductancia Sensor ...
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