Modulo IGBT KES650H12A8L-2M compatto e leggero per impianti a risparmio di spazio
Dettagli del prodotto
| Moisture Sensitive: | YES | Output Current: | 60A |
|---|---|---|---|
| Dimensions: | 25mm x 50mm x 10mm | Close: | No Shutdown |
| Maximum Operating Temperature: | 150°C | Input Range: | 4.5V~5.5V |
| Collector-Emitter Voltage: | 600V | Number Of Pins: | 7 |
| Lead Times: | Immediately Shipment | Contact Resistance: | 30mΩ |
| Thermal Resistance: | 0.5°C/W | Peak Repetitive Reverse: | 100-1600V |
| Application: | Power Conversion | Qualification: | Industrial |
| Organization: | 512 M x 16 | ||
| Evidenziare |
Modulo IGBT compatto,Modulo IGBT a risparmio di spazio,Modulo IGBT leggero |
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Descrizione di prodotto
KES650H12A8L-2M
-
Alta densità di potenza con tecnologia IGBT Trench FS
-
VCE basso (sat)
-
Funzionamento parallelo abilitato; progettazione simmetrica e coefficiente di temperatura positivo
-
Progettazione a bassa induttanza
-
Sensore di temperatura NTC integrato
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Piattaforma di base isolata con tecnologia DBC
-
Progettazione compatta e robusta con terminali stampati
Diagramma del circuito interno
Parametri delle specifiche
| TIPO | VBR Volti |
VGS(th) Volti |
Identificazione Amperi |
RDS (acceso) mΩ |
IDSS UA |
TJ | Rth ((JC) K/W |
Ptot Fabbricazione |
Circuito | Pacco | Tecnologia |
| KES400H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 confezioni | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
| KES650H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 3200W | 2 confezioni | SIC MOSFET |
Punti salienti del prodotto
KES650H12A8L-2M Alta densità di potenza con tecnologia IGBT Trench FS VCE basso (sat) Funzionamento parallelo abilitato; progettazione simmetrica e coefficiente di temperatura positivo Progettazione a bassa induttanza Sensore di temperatura NTC integrato Piattaforma di base isolata con tecnologia ...
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