Kompaktes und leichtes IGBT-Modul KES650H12A8L-2M für platzsparende Anlagen
Produktdetails
| Moisture Sensitive: | YES | Output Current: | 60A |
|---|---|---|---|
| Dimensions: | 25mm x 50mm x 10mm | Close: | No Shutdown |
| Maximum Operating Temperature: | 150°C | Input Range: | 4.5V~5.5V |
| Collector-Emitter Voltage: | 600V | Number Of Pins: | 7 |
| Lead Times: | Immediately Shipment | Contact Resistance: | 30mΩ |
| Thermal Resistance: | 0.5°C/W | Peak Repetitive Reverse: | 100-1600V |
| Application: | Power Conversion | Qualification: | Industrial |
| Organization: | 512 M x 16 | ||
| Hervorheben |
Kompaktes IGBT-Modul,Platzsparendes IGBT-Modul,Leichtgewicht IGBT-Modul |
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Produkt-Beschreibung
KES650H12A8L-2M
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Hohe Leistungsdichte mit Trench FS IGBT-Technologie
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Niedriges VCE (sat)
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Parallelbetrieb aktiviert; symmetrische Konstruktion und positiver Temperaturkoeffizient
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Konstruktion mit niedriger Induktivität
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Ein integrierter NTC-Temperatursensor
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Isolierte Unterplatte mit DBC-Technologie
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Kompaktes und robustes Design mit geformten Enden
Diagramm der inneren Schaltung
Spezifikationsparameter
| TYPE | VBR Elektronen und Strom |
VGS (th) Elektronen und Strom |
Identifizierung Ampere |
RDS ((an) mΩ |
IDSS uA |
TJ | Rth ((JC) K/W |
Ptot Watt |
Schaltkreis | Paket | Technologie |
| KES400H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 2230 W | 2 Packungen | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
| KES650H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 3200 W | 2 Packungen | SIC MOSFET |
Produkt-Highlights
KES650H12A8L-2M Hohe Leistungsdichte mit Trench FS IGBT-Technologie Niedriges VCE (sat) Parallelbetrieb aktiviert; symmetrische Konstruktion und positiver Temperaturkoeffizient Konstruktion mit niedriger Induktivität Ein integrierter NTC-Temperatursensor Isolierte Unterplatte mit DBC-Technologie ...
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