Módulo IGBT compacto e leve KES650H12A8L-2M para instalações que poupam espaço
Detalhes do produto
| Moisture Sensitive: | YES | Output Current: | 60A |
|---|---|---|---|
| Dimensions: | 25mm x 50mm x 10mm | Close: | No Shutdown |
| Maximum Operating Temperature: | 150°C | Input Range: | 4.5V~5.5V |
| Collector-Emitter Voltage: | 600V | Number Of Pins: | 7 |
| Lead Times: | Immediately Shipment | Contact Resistance: | 30mΩ |
| Thermal Resistance: | 0.5°C/W | Peak Repetitive Reverse: | 100-1600V |
| Application: | Power Conversion | Qualification: | Industrial |
| Organization: | 512 M x 16 | ||
| Destacar |
Módulo IGBT compacto,Módulo IGBT de poupança de espaço,Modulo IGBT leve |
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Descrição do produto
KES650H12A8L-2M
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Alta densidade de potência com tecnologia IGBT Trench FS
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Baixo VCE (sat)
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Operação paralela habilitada; conceção simétrica e coeficiente de temperatura positivo
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Projeto de baixa indutividade
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Sensor de temperatura NTC integrado
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Placa de base isolada utilizando tecnologia DBC
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Design compacto e robusto com terminais moldados
Diagrama do circuito interno
Parâmetros da especificação
| TÍPO | VBR Volts |
VGS (th) Volts |
Identificação Ampères |
RDS (acendido) mΩ |
IDSS uA |
TJ | Rth ((JC) K/W |
Ptot Capacidade de produção |
Circuito | Pacote | Tecnologia |
| KES400H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 embalagens | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
| KES650H12A8L-2M | 1200 V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200 uA | 175°C | 0.064 | 3200 W | 2 embalagens | SIC MOSFET |
Destaques do produto
KES650H12A8L-2M Alta densidade de potência com tecnologia IGBT Trench FS Baixo VCE (sat) Operação paralela habilitada; conceção simétrica e coeficiente de temperatura positivo Projeto de baixa indutividade Sensor de temperatura NTC integrado Placa de base isolada utilizando tecnologia DBC Design ...
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