コンパクトで軽量なIGBTモジュール KES650H12A8L-2M
製品詳細
| Moisture Sensitive: | YES | Output Current: | 60A |
|---|---|---|---|
| Dimensions: | 25mm x 50mm x 10mm | Close: | No Shutdown |
| Maximum Operating Temperature: | 150°C | Input Range: | 4.5V~5.5V |
| Collector-Emitter Voltage: | 600V | Number Of Pins: | 7 |
| Lead Times: | Immediately Shipment | Contact Resistance: | 30mΩ |
| Thermal Resistance: | 0.5°C/W | Peak Repetitive Reverse: | 100-1600V |
| Application: | Power Conversion | Qualification: | Industrial |
| Organization: | 512 M x 16 | ||
| ハイライト |
コンパクト IGBT モジュール,空間節約のIGBTモジュール,軽量 IGBT モジュール |
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製品の説明
KES650H12A8L-2M
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トレンチFS IGBT テクノロジーの高い電源密度
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低VCE (座っている)
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平行操作が可能;対称設計と正温係数
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低誘導性設計
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統合されたNTC温度センサー
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DBC技術を用いた隔離基板
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鋳造された端末でコンパクトで頑丈な設計
内部回路図
仕様のパラメータ
| タイプ | VBR ウォルト |
VGS (th) ウォルト |
ID アムペア |
RDS (オン) mΩ |
IDSS uA |
TJさん | 第3回 (JC) K/W |
Ptot ワット |
サーキット | パッケージ | テクノロジー |
| KES400H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 パック | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
| KES650H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200uA | 175°C | 0.064 | 3200W | 2 パック | SIC MOSFET |
製品のハイライト
KES650H12A8L-2M トレンチFS IGBT テクノロジーの高い電源密度 低VCE (座っている) 平行操作が可能;対称設計と正温係数 低誘導性設計 統合されたNTC温度センサー DBC技術を用いた隔離基板 鋳造された端末でコンパクトで頑丈な設計 内部回路図 仕様のパラメータ タイプ VBRウォルト VGS (th)ウォルト IDアムペア RDS (オン)mΩ IDSSuA TJさん 第3回 (JC)K/W Ptotワット サーキット パッケージ テクノロジー KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 2230W ...
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