공간 절약 설비를 위한 컴팩트하고 가벼운 IGBT 모듈 KES650H12A8L-2M
제품 상세정보
| Moisture Sensitive: | YES | Output Current: | 60A |
|---|---|---|---|
| Dimensions: | 25mm x 50mm x 10mm | Close: | No Shutdown |
| Maximum Operating Temperature: | 150°C | Input Range: | 4.5V~5.5V |
| Collector-Emitter Voltage: | 600V | Number Of Pins: | 7 |
| Lead Times: | Immediately Shipment | Contact Resistance: | 30mΩ |
| Thermal Resistance: | 0.5°C/W | Peak Repetitive Reverse: | 100-1600V |
| Application: | Power Conversion | Qualification: | Industrial |
| Organization: | 512 M x 16 | ||
| 강조하다 |
컴팩트 IGBT 모듈,공간 절약 IGBT 모듈,가벼운 IGBT 모듈 |
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제품 설명
KES650H12A8L-2M
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트렌치 FS IGBT 기술로 높은 전력 밀도
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낮은 VCE (sat)
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평행 작동 가능; 대칭 설계 & 긍정적 온도 계수
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낮은 인덕턴스 설계
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NTC 온도 센서
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DBC 기술을 이용한 격리된 기판
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폼드 터미널을 가진 컴팩트하고 견고한 설계
내부 회로 다이어그램
사양 매개 변수
| 유형 | VBR 전압 |
VGS (th) 전압 |
신분 앰프 |
RDS (동) mΩ |
IDSS uA |
TJ | Rth ((JC) K/W |
Ptot 와트 |
회로 | 패키지 | 기술 |
| KES400H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 400A | 3.7mΩ | 200uA | 175°C | 0.064 | 2230W | 2 패키지 | ECDUAL3 | SIC MOSFET |
| KES650H12A8L-2M | 1200V | 3.2V | 650A | 2.2mΩ | 200uA | 175°C | 0.064 | 3200W | 2 패키지 | SIC MOSFET |
제품 하이라이트
KES650H12A8L-2M 트렌치 FS IGBT 기술로 높은 전력 밀도 낮은 VCE (sat) 평행 작동 가능; 대칭 설계 & 긍정적 온도 계수 낮은 인덕턴스 설계 NTC 온도 센서 DBC 기술을 이용한 격리된 기판 폼드 터미널을 가진 컴팩트하고 견고한 설계 내부 회로 다이어그램 사양 매개 변수 유형 VBR전압 VGS (th)전압 신분앰프 RDS (동)mΩ IDSSuA TJ Rth ((JC)K/W Ptot와트 회로 패키지 기술 KES400H12A8L-2M 1200V 3.2V 400A 3.7mΩ 200uA 175°C 0.064 ...
정밀 혁신형조 기술 고속 정밀형조
고성능 성과 를 위한 혁신적 인 폼 기술
낮은 삽입력 로랑저 시험 소켓
낮은 삽입 힘과 긍정적 인 접촉 지우는 특징을 갖춘 로랑거 테스트 소켓으로 테스트가 용이해졌습니다. 최고 로딩 디자인 상단 접촉은 패키지 리드를 조정하는 데 도움이 됩니다. 양성 접촉 청소 작업 낮은 삽입 힘 하위 소켓 스탠딩 보드 청소를 지원 다양한 크기와 I/O 배하 도구 또한 사용 가능 0297002997ASSYA 21 입출력 (I/O) 듀얼 인라인 패키지 (DIP) 소켓 DIP 21 다중 02758 141 6215 14 입력/출력 (I/O) 및 2.54 밀리미터 (mm) 피치 듀얼 인라인 패키지 (DIP) 소켓 부근 용접 ...
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