+86-769-28565586
Запросить сейчас
Наши продукты
Качество SKKT10616E IGBT полупроводниковый силовой модуль, предлагающий время включения 03 микросекунд, предназначенный для управления мощностью и переключения Фабрика

SKKT10616E IGBT полупроводниковый силовой модуль, предлагающий время включения 03 микросекунд, предназначенный для управления мощностью и переключения
Качество 600 MV до 3,3 V Выходное напряжение Модуль IGBT с переключающими источниками питания и напряжением шлюза-эмиттера ± 20 V для управления мощностью Фабрика

600 MV до 3,3 V Выходное напряжение Модуль IGBT с переключающими источниками питания и напряжением шлюза-эмиттера ± 20 V для управления мощностью
Качество Модуль драйвера IGBT от 600 мВ до 3,3 В CS641230 PRX Модуль IGBT IGBT NPT3, используемый в системах привода двигателей Фабрика

Модуль драйвера IGBT от 600 мВ до 3,3 В CS641230 PRX Модуль IGBT IGBT NPT3, используемый в системах привода двигателей
Качество Золотое покрытие контактов модуля IGBT SKKT10616E, разработанное для повышения эффективности в приложениях промышленного управления двигателями Фабрика

Золотое покрытие контактов модуля IGBT SKKT10616E, разработанное для повышения эффективности в приложениях промышленного управления двигателями
Качество Конфигурация Sixpack, силовой коммутационный модуль IGBT, предлагающий термическое сопротивление от перехода к корпусу 0,3 градуса Цельсия на Ватт, предназначенный для управления питанием Фабрика

Конфигурация Sixpack, силовой коммутационный модуль IGBT, предлагающий термическое сопротивление от перехода к корпусу 0,3 градуса Цельсия на Ватт, предназначенный для управления питанием
Качество Модуль DIP IGBT SKKT10616E Выходное напряжение 600 MV до 33 V Мощное полупроводниковое устройство, подходящее для промышленных применений Фабрика

Модуль DIP IGBT SKKT10616E Выходное напряжение 600 MV до 33 V Мощное полупроводниковое устройство, подходящее для промышленных применений
Качество Напряжение коллектор-эмиттер ±20В Высокомощный IGBT-модуль Высокое напряжение и ток для требовательных применений Фабрика

Напряжение коллектор-эмиттер ±20В Высокомощный IGBT-модуль Высокое напряжение и ток для требовательных применений
Качество 200 шт. IGBT-модулей с выходным напряжением от 600 мВ до 3,3 В и золотым контактным покрытием, подходящих для систем преобразования мощности Фабрика

200 шт. IGBT-модулей с выходным напряжением от 600 мВ до 3,3 В и золотым контактным покрытием, подходящих для систем преобразования мощности
Качество Модуль биполярного транзистора с изоляционными воротами с выходной напряжением от 600 МВ до 3,3 В для систем привода Фабрика

Модуль биполярного транзистора с изоляционными воротами с выходной напряжением от 600 МВ до 3,3 В для систем привода
9 10 11 12 13