+86-769-28565586
Jetzt Anfragen
Unsere Produkte
Qualität SKKT10616E IGBT Halbleiter-Leistungsmodul mit TurnOn-Zeit 03 Mikrosekunden Fabrik

SKKT10616E IGBT Halbleiter-Leistungsmodul mit TurnOn-Zeit 03 Mikrosekunden
Qualität 600-MV-zu-3,3-V-Ausgangsspannungs-IGBT-Modul mit Schaltnetzteilen und Gate-Emitter-Spannung ±20V zur Leistungsregelung Fabrik

600-MV-zu-3,3-V-Ausgangsspannungs-IGBT-Modul mit Schaltnetzteilen und Gate-Emitter-Spannung ±20V zur Leistungsregelung
Qualität Ausgangsspannung 600 MV bis 3,3 V IGBT-Treibermodulmontage CS641230 PRX IGBT-Modul IGBT NPT3 für Antriebssysteme Fabrik

Ausgangsspannung 600 MV bis 3,3 V IGBT-Treibermodulmontage CS641230 PRX IGBT-Modul IGBT NPT3 für Antriebssysteme
Qualität IGBT-Modul SKKT10616E mit Goldkontaktplattierung zur Verbesserung der Effizienz in Anwendungen zur Steuerung von Industriemotoren Fabrik

IGBT-Modul SKKT10616E mit Goldkontaktplattierung zur Verbesserung der Effizienz in Anwendungen zur Steuerung von Industriemotoren
Qualität Sixpack-Konfiguration IGBT-Leistungsschaltmodul mit thermischem Widerstand von Gehäuse zu Gehäuse 0,3 Grad Celsius pro Watt, ausgelegt für Leistungssteuerung Fabrik

Sixpack-Konfiguration IGBT-Leistungsschaltmodul mit thermischem Widerstand von Gehäuse zu Gehäuse 0,3 Grad Celsius pro Watt, ausgelegt für Leistungssteuerung
Qualität DIP IGBT-Modul SKKT10616E Ausgangsspannung 600 MV bis 33 V Leistungshalbleiterbauelement für industrielle Anwendungen Fabrik

DIP IGBT-Modul SKKT10616E Ausgangsspannung 600 MV bis 33 V Leistungshalbleiterbauelement für industrielle Anwendungen
Qualität Gate-Emitter-Spannung Plus/Minus 20V Hochleistungs-IGBT-Modul Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen Fabrik

Gate-Emitter-Spannung Plus/Minus 20V Hochleistungs-IGBT-Modul Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Qualität 200 Stück IGBT-Modul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3.3 V und Goldkontaktplattierung geeignet für Stromumwandlungssysteme Fabrik

200 Stück IGBT-Modul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3.3 V und Goldkontaktplattierung geeignet für Stromumwandlungssysteme
Qualität Wärmewiderstandsverbindung zu Fall 0,3 °C pro Watt Isoliertes Bipolartransistormodul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3,3 V für Motorantriebssysteme Fabrik

Wärmewiderstandsverbindung zu Fall 0,3 °C pro Watt Isoliertes Bipolartransistormodul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3,3 V für Motorantriebssysteme
9 10 11 12 13