+86-769-28565586
Zapytaj Teraz
Nasze produkty
Jakość SKKT10616E Moduł zasilania półprzewodnikowego IGBT oferujący czas uruchomienia 03 mikrosekund przeznaczony do sterowania zasilania i przełączania Fabryka

SKKT10616E Moduł zasilania półprzewodnikowego IGBT oferujący czas uruchomienia 03 mikrosekund przeznaczony do sterowania zasilania i przełączania
Jakość 600 MV do 3,3 V napięcie wyjściowe Moduł IGBT wyposażony w przełącznikowe źródła zasilania i napięcie wrota-emiter ±20 V do sterowania mocą Fabryka

600 MV do 3,3 V napięcie wyjściowe Moduł IGBT wyposażony w przełącznikowe źródła zasilania i napięcie wrota-emiter ±20 V do sterowania mocą
Jakość Napięcie wyjściowe od 600 mV do 3,3 V Moduł sterownika IGBT CS641230 PRX Moduł IGBT NPT3 Używany w systemach napędów silnikowych Fabryka

Napięcie wyjściowe od 600 mV do 3,3 V Moduł sterownika IGBT CS641230 PRX Moduł IGBT NPT3 Używany w systemach napędów silnikowych
Jakość Moduł IGBT z pozłacanym stykiem SKKT10616E zaprojektowany w celu zwiększenia wydajności w zastosowaniach sterowania silnikami przemysłowymi Fabryka

Moduł IGBT z pozłacanym stykiem SKKT10616E zaprojektowany w celu zwiększenia wydajności w zastosowaniach sterowania silnikami przemysłowymi
Jakość Konfiguracja sześciopakowa Moduł przełączania zasilania IGBT oferujący łącznik o odporności termicznej do przypadku 0,3 stopnia Celsjusza na watt Zaprojektowany do sterowania mocą Fabryka

Konfiguracja sześciopakowa Moduł przełączania zasilania IGBT oferujący łącznik o odporności termicznej do przypadku 0,3 stopnia Celsjusza na watt Zaprojektowany do sterowania mocą
Jakość Moduł IGBT SKKT10616E z obudową DIP, napięcie wyjściowe od 600V do 33V, półprzewodnikowy przyrząd mocy, odpowiedni do zastosowań przemysłowych Fabryka

Moduł IGBT SKKT10616E z obudową DIP, napięcie wyjściowe od 600V do 33V, półprzewodnikowy przyrząd mocy, odpowiedni do zastosowań przemysłowych
Jakość Napięcie bramka-emiter plus minus 20V Wysokowydajny moduł IGBT Wysokie napięcie i prąd dla wymagających zastosowań Fabryka

Napięcie bramka-emiter plus minus 20V Wysokowydajny moduł IGBT Wysokie napięcie i prąd dla wymagających zastosowań
Jakość 200 sztuk modułu IGBT z napięciem wyjściowym 600 MV do 3,3 V i złotym pokryciem kontaktowym nadającym się do systemów konwersji mocy Fabryka

200 sztuk modułu IGBT z napięciem wyjściowym 600 MV do 3,3 V i złotym pokryciem kontaktowym nadającym się do systemów konwersji mocy
Jakość Rezystancja termiczna złącza do obudowy 0,3 stopnia Celsjusza na wat Moduł tranzystora IGBT z izolowaną bramką, z napięciem wyjściowym od 600 mV do 3,3 V dla systemów napędu silników Fabryka

Rezystancja termiczna złącza do obudowy 0,3 stopnia Celsjusza na wat Moduł tranzystora IGBT z izolowaną bramką, z napięciem wyjściowym od 600 mV do 3,3 V dla systemów napędu silników
9 10 11 12 13