+86-769-28565586
Consultar Agora
Os nossos produtos
Qualidade SKKT10616E IGBT módulo de energia semicondutor oferecendo tempo de atividade 03 microssegundos projetado para controle de energia e comutação Fábrica

SKKT10616E IGBT módulo de energia semicondutor oferecendo tempo de atividade 03 microssegundos projetado para controle de energia e comutação
Qualidade 600 MV a 3,3 V Voltagem de saída Módulo IGBT com fontes de alimentação de comutação e tensão do portão-emissor ± 20 V para controlo de potência Fábrica

600 MV a 3,3 V Voltagem de saída Módulo IGBT com fontes de alimentação de comutação e tensão do portão-emissor ± 20 V para controlo de potência
Qualidade Voltagem de saída 600 MV a 3,3 V IGBT Driver Module Assembly CS641230 PRX IGBT Module IGBT NPT3 Usado em sistemas de acionamento de motores Fábrica

Voltagem de saída 600 MV a 3,3 V IGBT Driver Module Assembly CS641230 PRX IGBT Module IGBT NPT3 Usado em sistemas de acionamento de motores
Qualidade Placa de Contato Dourado Módulo IGBT SKKT10616E Projetado para Aumentar a Eficiência em Aplicações de Controle de Motores Industriais Fábrica

Placa de Contato Dourado Módulo IGBT SKKT10616E Projetado para Aumentar a Eficiência em Aplicações de Controle de Motores Industriais
Qualidade Módulo de Comutação de Potência IGBT com Configuração Sixpack Oferecendo Resistência Térmica Junção-Case de 0,3 Graus Celsius por Watt Projetado para Controle de Potência Fábrica

Módulo de Comutação de Potência IGBT com Configuração Sixpack Oferecendo Resistência Térmica Junção-Case de 0,3 Graus Celsius por Watt Projetado para Controle de Potência
Qualidade Módulo DIP IGBT SKKT10616E Tensão de saída 600 MV a 33 V Dispositivo semicondutor de potência adequado para aplicações industriais Fábrica

Módulo DIP IGBT SKKT10616E Tensão de saída 600 MV a 33 V Dispositivo semicondutor de potência adequado para aplicações industriais
Qualidade Voltagem do emissor de portão mais menos 20V Módulo IGBT de alta potência Alta tensão e capacidade de corrente para aplicações exigentes Fábrica

Voltagem do emissor de portão mais menos 20V Módulo IGBT de alta potência Alta tensão e capacidade de corrente para aplicações exigentes
Qualidade Módulo IGBT de 200 unidades com tensão de saída de 600 MV a 3,3 V e chapa de contato de ouro adequado para sistemas de conversão de energia Fábrica

Módulo IGBT de 200 unidades com tensão de saída de 600 MV a 3,3 V e chapa de contato de ouro adequado para sistemas de conversão de energia
Qualidade Resistência Térmica Junção a Caixa 0,3 Graus Celsius por Watt Módulo Transistor Bipolar de Porta Isolada Apresentando Tensão de Saída de 600 MV a 3,3 V para Sistemas de Acionamento de Motor Fábrica

Resistência Térmica Junção a Caixa 0,3 Graus Celsius por Watt Módulo Transistor Bipolar de Porta Isolada Apresentando Tensão de Saída de 600 MV a 3,3 V para Sistemas de Acionamento de Motor
9 10 11 12 13