"high speed precision molding"
Инновационная технология точной формования высокоскоростная точность формования
Инновационная технология формования для высокопроизводительных результатов
Напряжение коллектор-эмиттер ±20В Высокомощный IGBT-модуль Высокое напряжение и ток для требовательных применений
Описание продукта:Модуль IGBT представляет собой передовое устройство с полупроводниковым питанием, предназначенное для удовлетворения требований современных электронных систем управления.Этот IGBT электронный модуль управления сочетает в себе высокую эффективность, надежность и надежные характерист...
Интегрированный ЦНС + Впрыска Формирование Испытательная раковина Структура серого корпуса TESTBGA IC раковины корпуса Обработка KR-2935-EK
1мм Описание Режим КТГ Точность ((мм) 1 ЭДМ раковины М3О ((ТАЙВАН) 1 0.005 ~ 0.01 2 Погрузчик ЭДМ(Митсубиш) EA8M/EA8A 2 0.005 3 ЭДМ раковины Форма S350 3 0.005 4 ЭДМ раковины(CHARMILLES-Швейцария) Пробоформ 35P 1 0.005 5 ЭДМ раковины(CHARMILLES-Швейцария) Пробоформ 350 SP 2 0.005 6 ЭДМ раковины(ЧАРМ...
Специализированный инжекционный формованный корпус испытательного розетки для механизма испытания IC BGA корпус испытательного розетки KR-3545-SP Снижение риска
1мм Описание Режим КТГ Точность ((мм) 1 ЭДМ раковины М3О ((ТАЙВАН) 1 0.005 ~ 0.01 2 Погрузчик ЭДМ(Митсубиш) EA8M/EA8A 2 0.005 3 ЭДМ раковины Форма S350 3 0.005 4 ЭДМ раковины(CHARMILLES-Швейцария) Пробоформ 35P 1 0.005 5 ЭДМ раковины(CHARMILLES-Швейцария) Пробоформ 350 SP 2 0.005 6 ЭДМ раковины(ЧАР...
600 MV до 3,3 V Выходное напряжение Модуль IGBT с переключающими источниками питания и напряжением шлюза-эмиттера ± 20 V для управления мощностью
Описание продукта: Модуль IGBT CS641230 PRX представляет собой высокопроизводительный электронный компонент, разработанный для удовлетворения строгих требований современных приложений силовой электроники. Благодаря корпусу типа DIP (Dual Inline Package) IPM, этот модуль спроектирован для простоты ин...
Модуль биполярного транзистора с изоляционными воротами с выходной напряжением от 600 МВ до 3,3 В для систем привода
Описание продукта: Модуль IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), обычно называемый модулем IGBT, представляет собой высокоэффективное и надежное решение, разработанное для приложений управления питанием. Этот усовершенствованный блок управления питанием IGBT интегрирует передовую полупроводникову...
200 шт. IGBT-модулей с выходным напряжением от 600 мВ до 3,3 В и золотым контактным покрытием, подходящих для систем преобразования мощности
Описание продукта: Модуль IGBT — это высокопроизводительное силовое полупроводниковое устройство, предназначенное для эффективного переключения и управления питанием в широком спектре промышленных применений. Являясь высоковольтным модулем IGBT, он сочетает в себе преимущества как MOSFET, так и бипо...
SKKT10616E IGBT полупроводниковый силовой модуль, предлагающий время включения 03 микросекунд, предназначенный для управления мощностью и переключения
Описание продукта:Модуль IGBT SKKT106.16E, также известный как модуль IGBT IGBT CS641230 PRX (NPT3),Это высокопроизводительный изолированный биполярный транзисторный модуль, предназначенный для удовлетворения требований современных приложений электротехники.Этот передовой блок управления питанием ...
Термическое сопротивление переход-корпус 0,3 градуса Цельсия на Ватт IGBT-модуль, оснащенный золотым контактным покрытием и выходным напряжением от 600 МВ до 3,3 В, используемый в ИБП
Описание продукта:Модуль IGBT CS641230 PRX - это высококачественный IGBT полупроводниковый силовой модуль, предназначенный для удовлетворения требований современных приложений электротехники.Этот модуль имеет конфигурацию гибридного модуля IGBT Thyristor, сочетающий в себе преимущества изолированных ...
