"high speed precision molding"
Präzise innovative Formtechnik Hochgeschwindigkeitspräzisionsform
Innovative Formtechnik für leistungsstarke Ergebnisse
Gate-Emitter-Spannung Plus/Minus 20V Hochleistungs-IGBT-Modul Hohe Spannungs- und Strombelastbarkeit für anspruchsvolle Anwendungen
Produktbeschreibung: Das IGBT-Modul ist ein fortschrittliches Leistungshalbleiterbauelement, das entwickelt wurde, um die anspruchsvollen Anforderungen moderner elektronischer Steuerungssysteme zu erfüllen. Als integraler Bestandteil der Leistungselektronik kombiniert dieses IGBT-Elektroniksteuerung...
Integrierte CNC + Spritzgießmaschine Versuchssteckdose Struktur Grauer Gehäuse TESTBGA IC-Steckdose Gehäuse Bearbeitung KR-2935-EK
1 Tem Beschreibung Modus Anzahl der FTE Genauigkeit ((mm) 1 Sink-EDM M3OF ((TAIWAN)) 1 0.005 bis 0.01 2 Waschbecken EDM(Mitsubish) Einheit für die Bereitstellung von Daten 2 0.005 3 Sink-EDM Form S350 3 0.005 4 Sink-EDM(CHARMILLES-Schweiz) PROBOFORM 35P 1 0.005 5 Sink-EDM(CHARMILLES-Schweiz) ...
Injektionsgeformte Prüfsockelgehäuse für IC-Prüfmechanismus BGA-Prüfsockelgehäuse KR-3545-SP Risikominderung
1 Tem Beschreibung Modus Anzahl der FTE Genauigkeit ((mm) 1 Sink-EDM M3OF ((TAIWAN)) 1 0.005 bis 0.01 2 Waschbecken EDM(Mitsubish) Einheit für die Bereitstellung von Daten 2 0.005 3 Sink-EDM Form S350 3 0.005 4 Sink-EDM(CHARMILLES-Schweiz) PROBOFORM 35P 1 0.005 5 Sink-EDM(CHARMILLES-Schweiz) ...
600-MV-zu-3,3-V-Ausgangsspannungs-IGBT-Modul mit Schaltnetzteilen und Gate-Emitter-Spannung ±20V zur Leistungsregelung
Beschreibung des Produkts:Das IGBT-Modul CS641230 PRX ist eine leistungsstarke elektronische Komponente, die auf die anspruchsvollen Anforderungen moderner Leistungselektronik-Anwendungen zugeschnitten ist.mit einem IPM-Gehäuse-Typ für DIP (Dual Inline Package)Dieses Modul ist für eine einfache ...
Wärmewiderstandsverbindung zu Fall 0,3 °C pro Watt Isoliertes Bipolartransistormodul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3,3 V für Motorantriebssysteme
Produktbeschreibung: Das Insulated Gate Bipolar Transistor Modul, allgemein als IGBT-Modul bezeichnet, ist eine hocheffiziente und zuverlässige Lösung für Leistungssteuerungsanwendungen. Diese fortschrittliche IGBT-Leistungssteuereinheit integriert modernste Halbleitertechnologie, um überlegene ...
200 Stück IGBT-Modul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3.3 V und Goldkontaktplattierung geeignet für Stromumwandlungssysteme
Beschreibung des Produkts:Das IGBT-Modul ist ein leistungsstarkes Leistungshalbleitergerät, das für eine breite Palette von industriellen Anwendungen entwickelt wurde, um eine effiziente Schaltung und Leistungssteuerung zu liefern.Es kombiniert die Vorteile von MOSFETs und bipolaren Transistoren, ...
SKKT10616E IGBT Halbleiter-Leistungsmodul mit TurnOn-Zeit 03 Mikrosekunden
Beschreibung des Produkts:Das IGBT-Modul SKKT106.16E, auch als CS641230 PRX IGBT-Modul IGBT (NPT3) bekannt,ist ein leistungsstarkes Isolated Gate Bipolar Transistor Modul, das für die anspruchsvollen Anforderungen moderner Leistungselektronik-Anwendungen entwickelt wurdeDiese fortschrittliche IGBT...
Wärmewiderstandsverbindung zu 0,3 °C pro Watt IGBT-Modul ausgestattet mit Kontaktplattierung mit Gold und Ausgangsspannung 600 MV bis 3,3 V In UPS-Systemen verwendet
Beschreibung des Produkts:Das IGBT-Modul CS641230 PRX ist ein hochwertiges IGBT-Halbleiter-Strommodul, das auf die anspruchsvollen Anforderungen moderner Leistungselektronik-Anwendungen zugeschnitten ist.Dieses Modul verfügt über eine IGBT Thyristor Hybrid Modul Konfiguration, kombiniert die ...
