9 Results For

"high speed precision molding"

Kualitas Teknologi Cetakan Inovatif Precision High Speed Precision Molding Pabrik

Teknologi Cetakan Inovatif Precision High Speed Precision Molding

Teknologi Cetakan Inovatif untuk Hasil Berkinerja Tinggi

Kualitas Gate Emitter Voltage Plus Minus 20V Modul IGBT Daya Tinggi Tegangan Tinggi Dan Kapasitas Saat Ini Untuk Aplikasi yang Menginginkan Pabrik

Gate Emitter Voltage Plus Minus 20V Modul IGBT Daya Tinggi Tegangan Tinggi Dan Kapasitas Saat Ini Untuk Aplikasi yang Menginginkan

Deskripsi Produk: Modul IGBT adalah perangkat semikonduktor daya canggih yang dirancang untuk memenuhi persyaratan ketat dari sistem kontrol elektronik modern. Sebagai komponen integral dalam elektronika daya, Modul Kontrol Elektronik IGBT ini menggabungkan efisiensi tinggi, keandalan, dan kinerja ...

Kualitas CNC terintegrasi + Injection Molding Test Socket Struktur Gray Housing TESTBGA IC socket Housing Machining KR-2935-EK Pabrik

CNC terintegrasi + Injection Molding Test Socket Struktur Gray Housing TESTBGA IC socket Housing Machining KR-2935-EK

1 tem Deskripsi Mode QTY Keakuratan ((mm) 1 Sink EDM M3OF ((TAIWAN) 1 0.005 ~ 0.01 2 Sink EDM(Mitsubish) EA8M/EA8A 2 0.005 3 Sink EDM Bentuk S350 3 0.005 4 Sink EDM(CHARMILLES-Swiss) PROBOFORM 35P 1 0.005 5 Sink EDM(CHARMILLES-Swiss) PROBOFORM 350 SP 2 0.005 6 Sink EDM(CHARMILLES-Agie) FO 23 UP 1 0...

Kualitas Custom Injection Molded Test Socket Enclosure for IC Testing Mechanism BGA Test Socket Housing KR-3545-SP Mengurangi Risiko Pabrik

Custom Injection Molded Test Socket Enclosure for IC Testing Mechanism BGA Test Socket Housing KR-3545-SP Mengurangi Risiko

1 tem Deskripsi Mode QTY Keakuratan ((mm) 1 Sink EDM M3OF ((TAIWAN) 1 0.005 ~ 0.01 2 Sink EDM(Mitsubish) EA8M/EA8A 2 0.005 3 Sink EDM Bentuk S350 3 0.005 4 Sink EDM(CHARMILLES-Swiss) PROBOFORM 35P 1 0.005 5 Sink EDM(CHARMILLES-Swiss) PROBOFORM 350 SP 2 0.005 6 Sink EDM(CHARMILLES-Agie) FO 23 UP 1 0...

Kualitas 600 MV hingga 3.3 V Tegangan Keluar Modul IGBT Dengan Sumber Daya Pindah dan Tegangan Gate-Emitter ± 20V untuk Kontrol Daya Pabrik

600 MV hingga 3.3 V Tegangan Keluar Modul IGBT Dengan Sumber Daya Pindah dan Tegangan Gate-Emitter ± 20V untuk Kontrol Daya

Deskripsi Produk: Modul IGBT CS641230 PRX adalah komponen elektronik berkinerja tinggi yang dirancang untuk memenuhi persyaratan aplikasi elektronika daya modern yang menuntut. Menampilkan tipe housing IPM (Dual Inline Package) DIP, modul ini direkayasa untuk kemudahan integrasi dan operasi yang ...

Kualitas Termal Resistance Junction to Case 0,3 Celsius per Watt Isolated Gate Bipolar Transistor Module Featuring Output Voltage 600 MV sampai 3,3 V untuk Sistem Penggerak Motor Pabrik

Termal Resistance Junction to Case 0,3 Celsius per Watt Isolated Gate Bipolar Transistor Module Featuring Output Voltage 600 MV sampai 3,3 V untuk Sistem Penggerak Motor

Deskripsi Produk: Modul Insulated Gate Bipolar Transistor, yang biasa disebut Modul IGBT, adalah solusi yang sangat efisien dan andal yang dirancang untuk aplikasi kontrol daya. Unit Kontrol Daya IGBT canggih ini mengintegrasikan teknologi semikonduktor mutakhir untuk memberikan kinerja superior ...

Kualitas Stok 200 pcs IGBT Modul Featuring Output Voltage 600 MV Untuk 3.3 V dan Gold Contact Plating Cocok untuk Sistem Konversi Daya Pabrik

Stok 200 pcs IGBT Modul Featuring Output Voltage 600 MV Untuk 3.3 V dan Gold Contact Plating Cocok untuk Sistem Konversi Daya

Deskripsi Produk: Modul IGBT adalah perangkat semikonduktor daya berkinerja tinggi yang dirancang untuk memberikan switching dan kontrol daya yang efisien untuk berbagai aplikasi industri. Sebagai Modul Tegangan Tinggi IGBT, ia menggabungkan keunggulan MOSFET dan transistor bipolar, memberikan ...

Kualitas SKKT10616E IGBT Semiconductor Power Module Offering TurnOn Time 03 Microseconds Dirancang untuk Pengendalian Daya dan Switching Pabrik

SKKT10616E IGBT Semiconductor Power Module Offering TurnOn Time 03 Microseconds Dirancang untuk Pengendalian Daya dan Switching

Deskripsi produk:Modul IGBT SKKT106.16E, juga dikenal sebagai CS641230 PRX IGBT Module IGBT (NPT3),adalah Modul Transistor Bipolar Gerbang Terisolasi berkinerja tinggi yang dirancang untuk memenuhi kebutuhan yang menuntut dari aplikasi elektronik daya modernUnit Kontrol Daya IGBT canggih ini ...

Kualitas Resistansi Termal Sambungan ke Casing 0,3 Derajat Celsius per Watt Modul IGBT Dilengkapi dengan Pelapisan Kontak Emas dan Tegangan Output 600 MV hingga 3,3 V Digunakan dalam Sistem UPS Pabrik

Resistansi Termal Sambungan ke Casing 0,3 Derajat Celsius per Watt Modul IGBT Dilengkapi dengan Pelapisan Kontak Emas dan Tegangan Output 600 MV hingga 3,3 V Digunakan dalam Sistem UPS

Deskripsi produk:Modul IGBT CS641230 PRX adalah Modul Daya Semikonduktor IGBT berkualitas tinggi yang dirancang untuk memenuhi persyaratan yang menuntut dari aplikasi elektronik daya modern.Modul ini memiliki konfigurasi IGBT Thyristor Hybrid Module, menggabungkan keunggulan Transistor Bipolar ...