9 Results For

"high speed precision molding"

Jakość Precyzyjna innowacyjna technologia formowania Fabryka

Precyzyjna innowacyjna technologia formowania

Innowacyjna technologia formowania w celu osiągnięcia wysokiej wydajności

Jakość Napięcie bramka-emiter plus minus 20V Wysokowydajny moduł IGBT Wysokie napięcie i prąd dla wymagających zastosowań Fabryka

Napięcie bramka-emiter plus minus 20V Wysokowydajny moduł IGBT Wysokie napięcie i prąd dla wymagających zastosowań

Opis produktu: Moduł IGBT to zaawansowane urządzenie półprzewodnikowe mocy, zaprojektowane z myślą o spełnieniu rygorystycznych wymagań nowoczesnych systemów sterowania elektronicznego. Jako integralny element energoelektroniki, ten elektroniczny moduł sterujący IGBT łączy wysoką wydajność, ...

Jakość Zintegrowany CNC + Wtryskiwanie wtryskowe Układ zbiornik testowy Szary obudowa TESTBGA IC zbiornik obudowa obróbki KR-2935-EK Fabryka

Zintegrowany CNC + Wtryskiwanie wtryskowe Układ zbiornik testowy Szary obudowa TESTBGA IC zbiornik obudowa obróbki KR-2935-EK

1 tem Opis Tryb KTY Dokładność ((mm) 1 Zbiornik EDM M3OF ((TAJWAN) 1 0.005~0.01 2 Zmywarka EDM(Mitsubish) EA8M/EA8A 2 0.005 3 Zbiornik EDM WZORNIK S350 3 0.005 4 Zbiornik EDM(CHARMILLES-Szwajcaria) PROBOFORM 35P 1 0.005 5 Zbiornik EDM(CHARMILLES-Szwajcaria) PROBOFORM 350 SP 2 0.005 6 Zbiornik EDM...

Jakość Wykorzystuje się w tym celu wzorcowe urządzenia do pomiaru węzłów elektrycznych, w tym urządzenia do pomiaru węzłów elektrycznych. Fabryka

Wykorzystuje się w tym celu wzorcowe urządzenia do pomiaru węzłów elektrycznych, w tym urządzenia do pomiaru węzłów elektrycznych.

1 tem Opis Tryb KTY Dokładność ((mm) 1 Zbiornik EDM M3OF ((TAJWAN) 1 0.005~0.01 2 Zmywarka EDM(Mitsubish) EA8M/EA8A 2 0.005 3 Zbiornik EDM WZORNIK S350 3 0.005 4 Zbiornik EDM(CHARMILLES-Szwajcaria) PROBOFORM 35P 1 0.005 5 Zbiornik EDM(CHARMILLES-Szwajcaria) PROBOFORM 350 SP 2 0.005 6 Zbiornik EDM...

Jakość 600 MV do 3,3 V napięcie wyjściowe Moduł IGBT wyposażony w przełącznikowe źródła zasilania i napięcie wrota-emiter ±20 V do sterowania mocą Fabryka

600 MV do 3,3 V napięcie wyjściowe Moduł IGBT wyposażony w przełącznikowe źródła zasilania i napięcie wrota-emiter ±20 V do sterowania mocą

Opis produktu: Moduł IGBT CS641230 PRX to wysokowydajny komponent elektroniczny zaprojektowany, aby sprostać wymagającym potrzebom nowoczesnych zastosowań energoelektroniki. Posiadający obudowę typu DIP (Dual Inline Package) IPM, moduł ten jest zaprojektowany z myślą o łatwej integracji i niezawodny...

Jakość Rezystancja termiczna złącza do obudowy 0,3 stopnia Celsjusza na wat Moduł tranzystora IGBT z izolowaną bramką, z napięciem wyjściowym od 600 mV do 3,3 V dla systemów napędu silników Fabryka

Rezystancja termiczna złącza do obudowy 0,3 stopnia Celsjusza na wat Moduł tranzystora IGBT z izolowaną bramką, z napięciem wyjściowym od 600 mV do 3,3 V dla systemów napędu silników

Opis produktu:Moduł tranzystorowy dwubiegunowy, powszechnie określany jako moduł IGBT, jest wysoce wydajnym i niezawodnym rozwiązaniem przeznaczonym do zastosowań w zakresie sterowania mocą.Ta zaawansowana jednostka sterowania mocą IGBT integruje najnowocześniejszą technologię półprzewodników, aby ...

Jakość 200 sztuk modułu IGBT z napięciem wyjściowym 600 MV do 3,3 V i złotym pokryciem kontaktowym nadającym się do systemów konwersji mocy Fabryka

200 sztuk modułu IGBT z napięciem wyjściowym 600 MV do 3,3 V i złotym pokryciem kontaktowym nadającym się do systemów konwersji mocy

Opis produktu:Moduł IGBT to wysokowydajne urządzenie półprzewodnikowe przeznaczone do zapewnienia efektywnego przełączania i sterowania mocą w szerokim zakresie zastosowań przemysłowych.Łączy w sobie zalety zarówno MOSFET jak i tranzystorów dwubiegunowych., zapewniając wysoką impedancję wejściową i ...

Jakość SKKT10616E Moduł zasilania półprzewodnikowego IGBT oferujący czas uruchomienia 03 mikrosekund przeznaczony do sterowania zasilania i przełączania Fabryka

SKKT10616E Moduł zasilania półprzewodnikowego IGBT oferujący czas uruchomienia 03 mikrosekund przeznaczony do sterowania zasilania i przełączania

Opis produktu: Moduł IGBT SKKT106.16E, znany również jako moduł IGBT CS641230 PRX IGBT (NPT3), to wysokowydajny tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, zaprojektowany z myślą o wymagających zastosowaniach w energoelektronice. Ta zaawansowana jednostka sterująca mocy IGBT została zaprojektowana tak, ...

Jakość Rezystancja termiczna złącza do obudowy 0,3 stopnia Celsjusza na wat Moduł IGBT wyposażony w złocone styki i napięcie wyjściowe od 600 MV do 3,3 V Stosowany w systemach UPS Fabryka

Rezystancja termiczna złącza do obudowy 0,3 stopnia Celsjusza na wat Moduł IGBT wyposażony w złocone styki i napięcie wyjściowe od 600 MV do 3,3 V Stosowany w systemach UPS

Opis produktu: Moduł IGBT CS641230 PRX to wysokiej jakości półprzewodnikowy moduł mocy IGBT, zaprojektowany tak, aby sprostać wymagającym potrzebom nowoczesnych zastosowań energoelektroniki. Moduł ten posiada konfigurację hybrydowego modułu tyrystorowo-IGBT, łącząc zalety tranzystorów polowych z ...