"igbt power module"
Módulo IGBT de 200 unidades com tensão de saída de 600 MV a 3,3 V e chapa de contato de ouro adequado para sistemas de conversão de energia
Descrição do produto:O módulo IGBT é um dispositivo semicondutor de potência de alto desempenho projetado para fornecer comutação e controle de potência eficientes para uma ampla gama de aplicações industriais.Ele combina as vantagens de ambos os MOSFETs e transistores bipolares, proporcionando alta ...
Voltagem do emissor de portão mais menos 20V Módulo IGBT de alta potência Alta tensão e capacidade de corrente para aplicações exigentes
Descrição do Produto: O Módulo IGBT é um dispositivo semicondutor de potência avançado projetado para atender aos requisitos exigentes dos sistemas modernos de controle eletrônico. Como um componente integral da eletrônica de potência, este Módulo de Controle Eletrônico IGBT combina alta eficiência, ...
Módulo DIP IGBT SKKT10616E Tensão de saída 600 MV a 33 V Dispositivo semicondutor de potência adequado para aplicações industriais
Descrição do Produto: O Módulo IGBT CS641230 PRX é um Módulo de Potência Semicondutor IGBT de alto desempenho projetado para oferecer eficiência e confiabilidade excepcionais em várias aplicações de eletrônica de potência. Este módulo IGBT avançado apresenta uma organização de 512 M X 16, permitindo ...
Placa de Contato Dourado Módulo IGBT SKKT10616E Projetado para Aumentar a Eficiência em Aplicações de Controle de Motores Industriais
Descrição do produto:O módulo IGBT EUPEC CS641230 PRX é um módulo de comutação de potência IGBT de alto desempenho concebido para satisfazer as exigências rigorosas das aplicações modernas de eletrónica de potência.Este módulo é projetado com uma organização de 512 M x 16, proporcionando uma solução ...
600 MV a 3,3 V Voltagem de saída Módulo IGBT com fontes de alimentação de comutação e tensão do portão-emissor ± 20 V para controlo de potência
Descrição do Produto: O Módulo IGBT CS641230 PRX é um componente eletrônico de alto desempenho projetado para atender aos exigentes requisitos das aplicações modernas de eletrônica de potência. Apresentando um tipo de invólucro IPM DIP (Dual Inline Package), este módulo é projetado para fácil ...
Resistência Térmica Junção a Caixa 0,3 Graus Celsius por Watt Módulo IGBT Equipado com Revestimento de Contato de Ouro e Tensão de Saída de 600 MV a 3,3 V Usado em Sistemas UPS
Descrição do produto:O módulo IGBT CS641230 PRX é um módulo de energia semicondutor IGBT de alta qualidade projetado para atender aos exigentes requisitos das aplicações modernas de eletrônica de potência.Este módulo possui uma configuração de módulo híbrido de tiristor IGBT, combinando as vantagens ...
Otimize seu sistema de energia com o módulo IGBT Half Bridge e forte capacidade de dissipação de calor
Descrição do Produto: O produto Módulo IGBT oferecido é uma solução de ponta projetada para aplicações de alta corrente. Como um sistema de Transistor Bipolar de Porta Isolada, este módulo IGBT oferece desempenho excepcional em vários ambientes industriais que exigem gerenciamento eficiente de ...
Módulo IGBT de baixa saturação VCE, baixas perdas
Modulo IGBT de corrente de curto-circuito e baixa saturação de VCE para KUG100H12S4L e baixas perdas de comutação Baixo VCE (sat) Corrente de curto-circuito de 10 μs Baixas perdas de mudança Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo Diodos de rotação livre com queda de tensão dianteira muito ...
Módulo IGBT compacto e leve KES650H12A8L-2M para instalações que poupam espaço
KES650H12A8L-2M Alta densidade de potência com tecnologia IGBT Trench FS Baixo VCE (sat) Operação paralela habilitada; conceção simétrica e coeficiente de temperatura positivo Projeto de baixa indutividade Sensor de temperatura NTC integrado Placa de base isolada utilizando tecnologia DBC Design ...
Módulo IGBT de corrente de curto-circuito para baixas e baixas perdas de comutação
Baixo VCE (sat) Corrente de curto-circuito de 10 μs Baixas perdas de mudança Coeficiente de temperatura VCE (sat) positivo Diodos de rotação livre com queda de tensão dianteira muito baixa e recuperação suave Pacote padrão industrial com placa de base de cobre Diagrama do circuito interno Parâmetros ...
Modulo IGBT KVP200H12E4-3TB liberando todo o potencial dos sistemas de energia industrial
KVP200H12E4-3TB Pacote compacto Baixa perda de comutação Montagem em PCB Sensor de temperatura NTC integrado Placa de base isolada por substrato Al2O3 Parâmetros da especificação TÍPO T1, T4 T2, T3 Circuito Pacote Tecnologia VCESVolts Eu...CAmpères VCE(SAT)Volts PtotCapacidade de produção VCESVolts ...
