"igbt power module"
KRUNTER Mô-đun IGBT đa năng chuyển đổi nhanh Công nghiệp Igbt Power Module ODM
KWP75H12E4-7M Mô-đun IGBT linh hoạt cho các ứng dụng công nghiệp khác nhau Mô tả sản phẩm: Mô-đun IGBT là một thành phần điện tử linh hoạt kết hợp các chức năng của Bộ Transistor Bipolar Isolated Gate (IGBT), Mô-đun Thyristor Isolated Gate,và một phần tử Transistor Bipolar Gate cô lập trong một gói ...
KUP40H12R4-7M Phòng ghép mô-đun Transistor Bipolar Gate cách điện cho quản lý năng lượng
KUP40H12R4-7M Phòng ghép Transistor Bipolar Gate cô lập Giải pháp cuối cùng cho quản lý năng lượng Mô tả sản phẩm: Mô-đun Transistor Bipolar Cửa cách ly, thường được gọi là Mô-đun IGBT, là một thành phần quan trọng trong các mạch điện tử, cung cấp khả năng điều khiển và chuyển mạch năng lượng hiệu ...
Mô-đun IGBT công nghiệp KWG600H12N4B Đĩa nền đồng Mô-đun Igbt
Bộ công nghiệp tiêu chuẩn IGBT KWG600H12N4B với tấm nền đồng cho các ứng dụng bền và công nghiệp Tính năng IGBT - Dòng đuôi ngắn. -10μs Điện mạch ngắn - Mất giảm thấp - Tỷ lệ nhiệt độ tích cực • Diode có bánh tự do với tốc độ nhanh và mềmthu hồi ngược • Bao bì tiêu chuẩn công nghiệp với đồngtấm nền ...
Đồng tấm IGBT mô-đun phân tán nhiệt độ bền trong gói tiêu chuẩn công nghiệp
Mô-đun IGBT tấm nền đồng để tăng khả năng phân tán nhiệt và độ bền trong gói tiêu chuẩn công nghiệp Tính năng IGBT (( Có thể thay thế SEMIKRON SKM450GB12E4) - Dòng đuôi ngắn -10μs Điện mạch ngắn - Mất giảm thấp - Tỷ lệ nhiệt độ tích cực • Diode có bánh tự do với tốc độ nhanh và mềmthu hồi ngược • ...
10us IGBT Module KWG600H12N 4B Igbt Power Module cho nguồn cung cấp điện cho máy hàn
Mô-đun IGBT KWG450H12N4B Đặc điểm: Dòng đuôi ngắn - 10μs Điện mạch ngắn - Mất giảm thấp - Tỷ lệ nhiệt độ tích cực Diode bánh tự do với phục hồi nhanh và mềm. Gói tiêu chuẩn công nghiệp với tấm nền đồng Ứng dụng: .Welder/Power Supply .UPS / Inverter - Người lái xe công nghiệp. ■Điều khoản & Điều kiện ...
KPP1500H12D3E4 IGBT module Power Control 48 pin giải pháp cho doanh nghiệp
KPP1500H12D3E4 IGBT Module Giải pháp kiểm soát năng lượng tối ưu cho doanh nghiệp của bạn KPP1500H12D3E4 Cu Baseplate Al2O3Substrate Khả năng chu kỳ nhiệt cao 10μs Chống mạch ngắn Ứng dụng Sơ đồ mạch bên trong Hệ thống UPS Máy chuyển đổi công suất cao Ứng dụng năng lượng mặt trời Động cơ Động cơ kéo ...
KHG75H12E4L 8MHz IGBT High Voltage High Frequency Power Distribution trong ngành công nghiệp
KHG75H12E4L Mô-đun IGBT cho phân phối điện cao áp và tần số cao trong ngành công nghiệp KHG75H12E4L Công nghệ NPT IGBT Khả năng mạch ngắn 10μs Mất lượng chuyển đổi thấp VCE ((sat) với hệ số nhiệt độ dương Quảng trường RBSOA Vỏ có độ thấm thấp FWD nhanh và mềm phục hồi ngược chống song song Bàn nền đ...
KUG75H12W4L1 IGBT Module Isolated Gate Bipolar Transistor Module cho điện tử điện
KUG75H12W4L1 Công nghệ tiên tiến IGBT mô-đun cho điện tử điện thế hệ tiếp theo Mô tả sản phẩm: IGBT Power Module là một thành phần linh hoạt và đáng tin cậy kết hợp khả năng chuyển đổi tốc độ cao của bóng bán dẫn điện với hiệu quả của MOSFET.Mô-đun này có một phần tử Transistor Bipolar Gate (IGBT), ...
KMP15H12X4-7M Mô-đun IGBT mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt Nhiệt độ cao
KMP15H12X4-7M Mô-đun IGBT mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt và nhiệt độ cao Mô tả sản phẩm: Mô-đun IGBT là một thành phần điện tử tiên tiến thuộc về gia đình các đơn vị Transistor Bipolar Gate (IGBT).Nó còn được gọi là mô-đun Transistor Bipolar Gate cô lập hoặc gói Transistor Gate cô lập. Mô-đun n...
KMP25H12X4-7M Mô-đun IGBT mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt Nhiệt độ cao
KMP15H12X4-7M Mô-đun IGBT mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt và nhiệt độ cao Mô tả sản phẩm: Mô-đun IGBT là một thành phần điện tử tiên tiến thuộc về gia đình các đơn vị Transistor Bipolar Gate (IGBT).Nó còn được gọi là mô-đun Transistor Bipolar Gate cô lập hoặc gói Transistor Gate cô lập. Mô-đun n...
KUG75H12W4L1 Mô-đun IGBT mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt Nhiệt độ cao
KMP15H12X4-7M Mô-đun IGBT mạnh mẽ cho môi trường khắc nghiệt và nhiệt độ cao Mô tả sản phẩm: Mô-đun IGBT là một thành phần điện tử tiên tiến thuộc về gia đình các đơn vị Transistor Bipolar Gate (IGBT).Nó còn được gọi là mô-đun Transistor Bipolar Gate cô lập hoặc gói Transistor Gate cô lập. Mô-đun n...
Điện trở nhiệt từ mối nối đến vỏ 0,3 độ C trên Watt Mô-đun Transistor Lưỡng cực Cổng Cách điện với Điện áp đầu ra từ 600 MV đến 3,3 V cho Hệ thống Lái động cơ
Mô tả sản phẩm:Mô-đun Transistor Bipolar Gate cách điện, thường được gọi là mô-đun IGBT, là một giải pháp hiệu quả và đáng tin cậy cao được thiết kế cho các ứng dụng điều khiển điện.Đơn vị điều khiển năng lượng IGBT tiên tiến này tích hợp công nghệ bán dẫn tiên tiến để cung cấp hiệu suất vượt trội ...
