"igbt power module"
KRUNTER Vielseitiges IGBT-Modul mit schneller Schaltvorrichtung Industrie-Igbt-Leistungsmodul ODM
KWP75H12E4-7M Vielseitiges IGBT-Modul für verschiedene industrielle Anwendungen Beschreibung des Produkts: Das IGBT-Modul ist eine vielseitige elektronische Komponente, die die Funktionen einer Isolated Gate Bipolar Transistor Assembly (IGBT), eines Isolated Gate Thyristor Modules,mit einer Leistung ...
KUP40H12R4-7M Isolierte Tür Bipolare Transistormodulmontage für das Strommanagement
KUP40H12R4-7M Isolierte Tür Bipolare Transistormontage Die ultimative Lösung für das Strommanagement Beschreibung des Produkts: Das Isolated Gate Bipolar Transistor Module, allgemein als IGBT-Modul bekannt, ist eine entscheidende Komponente in elektronischen Schaltungen und bietet eine effiziente ...
Industrie IGBT-Modul KWG600H12N4B Kupferbasisplatte Igbt-Modul
Industrie-Standardpaket IGBT-Modul KWG600H12N4B mit Kupferbasisplatte für langlebige und industrielle Anwendungen IGBT-Eigenschaften - Kurzer Schwanzstrom. -10 μs Kurzschlussstrom - Niedrige Verluste - Positiver Temperaturkoeffizient • Freiraddioden mit schnellen und weichenRückgewinnung • ...
Kupferplatten-IGBT-Modul Wärmeabbau Haltbarkeit im industriellen Standardpaket
IGBT-Module mit Kupferbasisplatte für eine verbesserte Wärmeverteilung und Haltbarkeit im industriellen Standardpaket IGBT-Eigenschaften ((Kann SEMIKRON SKM450GB12E4 ersetzen) - Kurzer Schwanzstrom -10 μs Kurzschlussstrom - Niedrige Verluste - Positiver Temperaturkoeffizient • Freiraddioden mit ...
10us IGBT-Modul KWG600H12N 4B Igbt-Leistungsmodul für die Schweißanlage
IGBT-Modul KWG450H12N4B Eigenschaften: Kurzer Schwanzstrom - 10μs Kurzschlussstrom - Niedrige Verluste - Positiver Temperaturkoeffizient Freiraddioden mit schneller und weicher Rückwärtserholung. Industrieübliche Verpackung mit Kupfer-Basisplatte Anwendungen: .Schweißer/Stromversorgung .UPS...
KPP1500H12D3E4 IGBT-Modul-Stromsteuerung 48-Pins Lösung für Unternehmen
KPP1500H12D3E4 IGBT-Modul Die ultimative Leistungssteuerungslösung für Ihr Unternehmen KPP1500H12D3E4 Cu-Basisplatte Al2O3Substrate Hohe Wärmezyklusfähigkeit 10 μs Kurzschlusswiderstand Anwendung Diagramm der inneren Schaltung UPS-Systeme Hochleistungsumwandler Anwendungen der Solartechnik ...
KHG75H12E4L 8MHz IGBT-Modul Hochspannung Hochfrequenz-Stromverteilung in der Industrie
KHG75H12E4L IGBT-Modul für Hochspannungs- und Hochfrequenzstromverteilung in der Industrie KHG75H12E4L NPT-IGBT-Technologie 10 μs Kurzschlussfähigkeit Niedriger Umschaltverlust VCE (sat) mit positivem Temperaturkoeffizient Quadrat RBSOA Fall mit geringer Induktivität Schnelle und weiche Rückw...
KUG75H12W4L1 IGBT-Modul Isoliertes Tor Bipolartransistormodul für Leistungselektronik
KUG75H12W4L1 IGBT-Modul mit fortgeschrittener Technologie für Leistungselektronik der nächsten Generation Beschreibung des Produkts: Das IGBT-Leistungsmodul ist eine vielseitige und zuverlässige Komponente, die die Hochgeschwindigkeitsschaltfähigkeit eines Leistungstransistors mit der Effizienz ...
KMP15H12X4-7M Robustes IGBT-Modul für raue Umgebungen
KMP15H12X4-7M Robustes IGBT-Modul für raue Umgebungen und hohe Temperaturen Beschreibung des Produkts: Das IGBT-Modul ist eine hochmoderne elektronische Komponente, die zur Familie der Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) -Einheiten gehört.Es ist auch als Isoliertes Gate Bipolar Transistor Modul ...
KMP25H12X4-7M Robustes IGBT-Modul für raue Umgebungen
KMP15H12X4-7M Robustes IGBT-Modul für raue Umgebungen und hohe Temperaturen Beschreibung des Produkts: Das IGBT-Modul ist eine hochmoderne elektronische Komponente, die zur Familie der Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) -Einheiten gehört.Es ist auch als Isoliertes Gate Bipolar Transistor Modul ...
KUG75H12W4L1 Robustes IGBT-Modul für raue Umgebungen
KMP15H12X4-7M Robustes IGBT-Modul für raue Umgebungen und hohe Temperaturen Beschreibung des Produkts: Das IGBT-Modul ist eine hochmoderne elektronische Komponente, die zur Familie der Isolated Gate Bipolar Transistor (IGBT) -Einheiten gehört.Es ist auch als Isoliertes Gate Bipolar Transistor Modul ...
Wärmewiderstandsverbindung zu Fall 0,3 °C pro Watt Isoliertes Bipolartransistormodul mit Ausgangsspannung von 600 MV bis 3,3 V für Motorantriebssysteme
Produktbeschreibung: Das Insulated Gate Bipolar Transistor Modul, allgemein als IGBT-Modul bezeichnet, ist eine hocheffiziente und zuverlässige Lösung für Leistungssteuerungsanwendungen. Diese fortschrittliche IGBT-Leistungssteuereinheit integriert modernste Halbleitertechnologie, um überlegene ...
