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  • Qualidade 1N4148W SOD-123 Diodo de comutação rápida Diodo de comutação Fábrica

    1N4148W SOD-123 Diodo de comutação rápida Diodo de comutação

    Características elétricas 1N4148W Parâmetro Valor Esboço do pacote SOD-123 Voltagem inversa (VR) 100 V Corrente média para a frente (IF)AV) 150 mA Dissipação de energia (P)d) 350 mW Quantidade mínima de embalagem (MPQ) 3000 peças / bobina Características fundamentais • Velocidade de comutação ultra...

  • Qualidade SOD123 Esboço do pacote Diodos de comutação encapsulados de plástico adequados para comutação rápida e integração de dispositivos eletrónicos Fábrica

    SOD123 Esboço do pacote Diodos de comutação encapsulados de plástico adequados para comutação rápida e integração de dispositivos eletrónicos

    Características elétricas ¢ Embalagem:SOD-123 Número da parte PD (mW) IO (mA) VR (V) VF (V) VF@IF (mA) IR (μA) IR@VR (V) trr (ns) Pacote MPQ 1N4148W 350 150 100 1.25 150 1.0 75 4 SOD-123 3000 1N4448W 500 250 75 1.25 150 2.5 75 4 SOD-123 3000 BAV116W 400 150 75 1.25 150 1.0 75 4 SOD-123 3000 BAV19W ...

  • Qualidade SOT-23 Esboço do pacote Diodos de comutação encapsulados de plástico projetados para comutação e recuperação rápida em dispositivos eletrônicos Fábrica

    SOT-23 Esboço do pacote Diodos de comutação encapsulados de plástico projetados para comutação e recuperação rápida em dispositivos eletrônicos

    Características elétricas ∆ Diodos de comutação SOT-23 Número da parte PD (mW) IO (mA) VR (V) VF (V) VF@IF (mA) IR (μA) IR@VR (V) trr (ns) Pacote MPQ 1SS181 150 mW 100 mA 80 V 1.2 V 100 mA 0.5 μA 80 V 4 ns SOT-23 3000 ISS184 150 mW 100 mA 80 V 1.2 V 100 mA 0.5 μA 80 V 4 ns SOT-23 3000 ISS187 150 mW ...

  • Qualidade 1N4148WS SOD-323 Diodo de comutação Plástico-encapsulado de silício epitaxial planar Fábrica

    1N4148WS SOD-323 Diodo de comutação Plástico-encapsulado de silício epitaxial planar

    Características elétricas 1N4148WS Parâmetro Valor Esboço do pacote SOD-323 Quantidade mínima de embalagem (MPQ) 3000 peças / bobina Dissipação de energia (P)d) 200 mW Voltagem reversa repetitiva máxima (VRM) 100 V Voltagem inversa (VR) 71 V Corrente para a frente (IFM) 300 mA IFSM de corrente de ...

  • Qualidade SOT-223 Transistores BCP51 a BCP56 Fábrica

    SOT-223 Transistores BCP51 a BCP56

    Características elétricas Transistor série Todos os IC (A) -3 - Um. -Não.6 -Não.2 0.2 0.6 1 Todos os VCBO (V) - 160 - 100 - 60 - 45 - 40 45 60 75 100 180 Todos os VCEO (V) - 150 - 80 - 60 - 45 - 40 - Trinta 40 45 60 80 160 Todos os VEBO (V) -6 - 5 5 6 Todos os hFE Min 100 160 Todos os hFE Max 200 ...

  • Qualidade Diodos de recuperação rápida SOD-123FL ¢ Série ES, US e FR para retificação compacta Fábrica

    Diodos de recuperação rápida SOD-123FL ¢ Série ES, US e FR para retificação compacta

    Características elétricas Apto para embalagens SOD-123FL Todos os I ((AV) 1.0 Todos os VRRM (v) 50 100 200 400 600 800 1000 Todos os Trr 35 50 75 150 250 500 Número da parte I (AV) (A) VRRM ((V) Trr ((ns) MPQ FR101W 1.0 50 150 3000 FR102W 1.0 100 150 3000 FR103W 1.0 200 150 3000 FR104W 1.0 400 150 ...

  • Qualidade 1N4007 DO-41 Diodo rectificador 1000V 1A Diodo rectificador Fabricante Fábrica

    1N4007 DO-41 Diodo rectificador 1000V 1A Diodo rectificador Fabricante

    Características elétricas 1N4007 Parâmetro Valor Esboço do pacote DO-41 IR @ VR (máximo) 150 WA I ((AV) 1A VRRM 1000 V IR 5 μA MPQ 5000 Características fundamentais • Junção difusa • Alta capacidade de corrente e baixa queda de tensão dianteira • Alta confiabilidade • Capacidade de alta corrente de ...

  • Qualidade Diodo Schottky SR5200 / SB5200 5A 200V DO-201AD – Alta Eficiência Fábrica

    Diodo Schottky SR5200 / SB5200 5A 200V DO-201AD – Alta Eficiência

    Características elétricas SR5200 / SB5200 Parâmetro Valor Esboço do pacote DO-201AD Número da parte Ativos financeiros de risco O 5.0 A VR 200 V MPQ 1250 Características fundamentais • Diodos Schottky • Construção de anéis de proteção para proteção transitória • Alta capacidade de corrente • Baixa ...

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