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  • Qualità 1N4148W SOD-123 Diodo di commutazione rapida Diodo di commutazione Fabbrica

    1N4148W SOD-123 Diodo di commutazione rapida Diodo di commutazione

    Caratteristiche elettriche 1N4148W Parametro Valore Esempio del pacchetto SOD-123 Voltaggio inverso (VR) 100 V Corrente media in avanti (IF)AV) 150 mA Dissipazione di potenza (P)d) 350 mW Quantità minima di imballaggio (MPQ) 3000 pezzi / bobina Caratteristiche chiave • Velocità di commutazione ultra ...

  • Qualità SOD123 Conclusione del pacchetto Diodi di commutazione in plastica incapsulati adatti a commutazioni rapide e all'integrazione di dispositivi elettronici Fabbrica

    SOD123 Conclusione del pacchetto Diodi di commutazione in plastica incapsulati adatti a commutazioni rapide e all'integrazione di dispositivi elettronici

    Caratteristiche elettriche ¢ Pacchetto:SOD-123 Numero della parte PD (mW) IO (mA) VR (V) VF (V) VF@IF (mA) IR (μA) IR@VR (V) trr (ns) Pacco MPQ 1N4148W 350 150 100 1.25 150 1.0 75 4 SOD-123 3000 1N4448W 500 250 75 1.25 150 2.5 75 4 SOD-123 3000 BAV116W 400 150 75 1.25 150 1.0 75 4 SOD-123 3000 ...

  • Qualità SOT-23 Package Outline Plastic Encapsulated Switching Diodes Designed for Switching and Fast Recovery in Electronic Devices Fabbrica

    SOT-23 Package Outline Plastic Encapsulated Switching Diodes Designed for Switching and Fast Recovery in Electronic Devices

    Caratteristiche elettriche diodi di commutazione SOT-23 Numero della parte PD (mW) IO (mA) VR (V) VF (V) VF@IF (mA) IR (μA) IR@VR (V) trr (ns) Pacco MPQ 1SS181 150 mW 100 mA 80 V 1.2 V 100 mA 0.5 μA 80 V 4 ns SOT-23 3000 ISS184 150 mW 100 mA 80 V 1.2 V 100 mA 0.5 μA 80 V 4 ns SOT-23 3000 ISS187 150 ...

  • Qualità 1N4148WS SOD-323 Diodo di commutazione in plastica incapsulato in silicio epitaxiale planare Fabbrica

    1N4148WS SOD-323 Diodo di commutazione in plastica incapsulato in silicio epitaxiale planare

    Caratteristiche elettriche 1N4148WS Parametro Valore Esempio del pacchetto SOD-323 Quantità minima di imballaggio (MPQ) 3000 pezzi / bobina Dissipazione di potenza (P)d) 200 mW Tensione inversa ripetibile massima (VRM) 100 V Voltaggio inverso (VR) 71 V Corrente in avanti (IFM) 300 mA IFSM di ...

  • Qualità SOT-223 Transistor BCP51-16 - BCP56-16 Fabbrica

    SOT-223 Transistor BCP51-16 - BCP56-16

    Caratteristiche elettriche della serie di transistor Tutte le IC (A) -3 -1 - Zero.6 - Zero.2 0.2 0.6 1 Tutte le VCBO (V) - 160 - 100 - 60 - 45 anni. - Quaranta. 45 60 75 100 180 Tutte le VCEO (V) - 150 dollari. - 80 - 60 - 45 anni. - Quaranta. - Trenta 40 45 60 80 160 Tutto il VEBO (V) -6 - 5 5 6 ...

  • Qualità Diodi di recupero rapido SOD-123FL ¢ serie ES, US e FR per rettifica compatta Fabbrica

    Diodi di recupero rapido SOD-123FL ¢ serie ES, US e FR per rettifica compatta

    Caratteristiche elettriche Perfetto per le confezioni SOD-123FL Tutti gli AV 1.0 Tutto VRRM (v) 50 100 200 400 600 800 1000 Tutti i Trr 35 50 75 150 250 500 Numero della parte I(AV) ((A) VRRM ((V) Trr ((ns) MPQ FR101W 1.0 50 150 3000 FR102W 1.0 100 150 3000 FR103W 1.0 200 150 3000 FR104W 1.0 400 150 ...

  • Qualità 1N4007 DO-41 Diodo rettificatore 1000V 1A Diodo rettificatore Fabbrica

    1N4007 DO-41 Diodo rettificatore 1000V 1A Diodo rettificatore

    Caratteristiche elettriche 1N4007 Parametro Valore Esempio del pacchetto DO-41 IR @ VR (Max) 150 WA I(AV) 1A VRRM 1000V IR 5 μA MPQ 5000 Caratteristiche chiave • Giunzione diffusa • Alta capacità di corrente e bassa caduta di tensione • Alta affidabilità • Capacità di corrente di sovratensione ...

  • Qualità Diodo Schottky SR5200 / SB5200 5A 200V DO-201AD – Alta Efficienza Fabbrica

    Diodo Schottky SR5200 / SB5200 5A 200V DO-201AD – Alta Efficienza

    Caratteristiche elettriche ¢ SR5200 / SB5200 Parametro Valore Esempio del pacchetto DO-201AD Numero della parte SR5200 / SB5200 IO 5.0 A VR 200 V MPQ 1250 Caratteristiche chiave • Diodi di Schottky • Costruzione di anelli di protezione per la protezione dei passeggeri • Alta capacità di corrente • ...

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