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품질 KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 공장
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KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업

브랜드 이름: Krunter
모델 번호: KHG75H12E4L
원산지: 중국
최소 주문 수량: 1
가격: 협상 가능
공급 능력: 협상 가능

제품 상세정보


Product: IGBT Module Output Type: Rail to Rail
Date Code: Newest code Maximum Clock Frequency: 8 MHz
Maximum Junction Temperature: 175°C Input Voltage Range: 4.5 V to 18 V
Warranty: 365days Stock: 100PCS
Operating Temperature: -40 to +125 Configuration: 6-Pack
Maximum Collector Current: 600A Factory Packing Quantity: 24
Moisture Sensitive: YES Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.8V
Feature: High current
강조하다

KHG75H12E4L IGBT 모듈

,

8MHz IGBT 모듈

,

고주파 igbt 전원 모듈

제품 설명

KHG75H12E4L 산업의 고전압 및 고주파 전력 분배용 IGBT 모듈

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 0

KHG75H12E4L

  • NPT IGBT 기술

  • 10μs 단회로 능력

  • 낮은 전환 손실

  • 양 온도 계수인 VCE (sat)

  • 제곱 RBSOA

  • 낮은 인덕턴스 케이스

  • 빠른 & 부드러운 역 복원 반 병렬 FWD

  • DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판

 
 

 

적용

내부 회로 다이어그램

  • 용접기

  • 인버터

  • 인덕션 난방

  • 플라즈마 절단 기계

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 1

사양 매개 변수

유형 VCES
전압
VGES
전압
IC
앰프
VCE (SAT)
전압
(EON+EOFF)
mJ
TJ Ptot
와트
회로 패키지 기술
 
KWG50F12E4T 1200V ± 20 50A 2.90V 6.9mJ 150°C 408 4 패키지 62mm ((T) 핵무기협약
KWG75F12E4T 1200V ± 20 75A 2.90V 110.8mJ 150°C 595 4 패키지 핵무기협약

KHG75H12E4L 8MHz IGBT 모듈 고전압 고주파 전력 분배 산업 2

 

 

제품 하이라이트

KHG75H12E4L 산업의 고전압 및 고주파 전력 분배용 IGBT 모듈 KHG75H12E4L NPT IGBT 기술 10μs 단회로 능력 낮은 전환 손실 양 온도 계수인 VCE (sat) 제곱 RBSOA 낮은 인덕턴스 케이스 빠른 & 부드러운 역 복원 반 병렬 FWD DBC 기술을 이용한 고립된 구리 기판 적용 내부 회로 다이어그램 용접기 인버터 인덕션 난방 플라즈마 절단 기계 사양 매개 변수 유형 VCES전압 VGES전압 IC앰프 VCE (SAT)전압 (EON+EOFF)mJ TJ Ptot와트 회로 패키지 기술 KWG50F12E4T ...

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